©2003 仙童 半导体 公司 isl9v3040d3s / isl9v3040s3s / isl9v3040p3 / isl9v3040s3 rev. d2, april 2003
isl9v3040d3s / isl9v3040s3s / isl9v3040p3 / isl9v3040s3
典型 效能 曲线
(持续)
图示 13. 电容 vs 集电级 至 发射级
电压
图示 14. 门 承担
图示 15. 损坏 电压 vs 序列 门 阻抗
图示 16. igbt normalized 瞬时 热的 阻抗, 接合面 至 情况
c, 电容 (pf)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
1600
800
400
1200
0105152025
0
C
IES
C
OES
C
RES
频率 = 1 mhz
Q
G
, 门 承担 (nc)
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
0
2
4
8
0 4 8 1216202428
3
5
7
6
1
32
I
g(ref)
= 1ma, r
L
= 1.25
Ω,
T
J
= 25°c
V
CE
= 6v
V
CE
= 12v
BV
CER
, 损坏 电压 (v)
R
G
, 序列 门 阻抗 (k
Ω
)
430
410
400
420
10 20001000 3000
390
100
415
405
425
395
T
J
= - 40°c
T
J
= 25°c
T
J
= 175°c
I
CER
= 10ma
Z
thJC
, normalized 热的 回馈
T
1
, rectangular 脉冲波 持续时间 (s)
10
0
10
-2
10
-1
10
-2
10
-3
10
-4
10
-5
10
-1
职责 因素, d = t
1
/ t
2
顶峰 t
J
= (p
D
x z
θ
JC
x r
θ
JC
) + t
C
t
1
t
2
P
D
10
-6
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单独的 脉冲波
10
-3
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