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资料编号:184956
 
资料名称:BUK109-50DL
 
文件大小: 93.93K
   
说明
 
介绍:
PowerMOS transistor Logic level TOPFET
 
 


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飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk109-50dl
逻辑 水平的 topfet
描述 快 涉及 数据
大而单一的 温度 和
标识 参数 最大值 单位
超载 保护 逻辑 水平的 电源
场效应晶体管 在 一个 3 管脚 塑料 表面 V
DS
持续的 流 源 电压 50 V
挂载 封套, 将 作 一个 I
D
持续的 流 电流 26 一个
一般 目的 转变 为 P
D
总的 电源 消耗 75 W
automotive 系统 和 其它 T
j
持续的 接合面 温度 150 ˚C
产品. R
ds(在)
流-源 在-状态 阻抗 60 m
产品
I
ISL
输入 供应 电流 V
= 5 v 650
µ
一个
一般 控制 为 驱动
lamps
发动机
solenoids
heaters
特性 函数的 块 图解
vertical 电源 dmos 输出
平台
低 在-状态 阻抗
超载 保护 相反
在 温度
超载 保护 相反
短的 电路 加载
latched 超载 保护
重置 用 输入
5 v 逻辑 兼容 输入 水平的
控制 的 电源 场效应晶体管
和 供应 的 超载
保护 电路
获得 从 输入
更小的 运行 输入 电流
准许 直接 驱动 用
微观的-控制
静电释放 保护 在 输入 管脚
超(电)压 夹紧 为 转变
止 的 inductive 负载
图.1. elements 的 这 topfet.
固定 - sot404 管脚 配置 标识
管脚 描述
1 输入
2
3
mb
电源
场效应晶体管
输入
o/v
CLAMP
逻辑 和
保护
RIG
13
mb
2
P
D
S
I
TOPFET
六月 1996 1 rev 1.000
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