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资料编号:1123800
 
资料名称:MRF6S19100HR3
 
文件大小: 508K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistors
 
 


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rf 设备 数据
freescale 半导体
mrf6s20010nr1 mrf6s20010gnr1
图示 1. mrf6s20010nr1(gnr1) 测试 电路 图式 — 2110-2170 mhz
Z10 0.930
x 0.350
Microstrip
Z11 0.930
x 0.400
Microstrip
Z12 0.050
x 0.105
Microstrip
Z13 0.405
x 0.242
Microstrip
Z14 0.066
x 0.740
Microstrip
z16, z17 0.050
x 1.250
Microstrip
PCB taconic rf-35, 0.030
,
ε
r
= 3.5
z1, z15 0.066
x 0.480
Microstrip
Z2 0.066
x 0.765
Microstrip
z3, z5 0.066
x 0.340
x 0.050
Taper
Z4 0.340
x 0.295
Microstrip
Z6 0.020
x 0.060
Microstrip
Z7 0.0905
x 0.280
Microstrip
Z8 0.0905
x 0.330
Microstrip
Z9 0.050
x 0.980
Microstrip
RF
输出
V
偏差
V
供应
RF
输入
DUT
Z1
C2
R1
C11
+
C1 C7
R2
Z9
R3
Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z7 Z8
Z10
Z16
C3
C4 C5
Z11 Z12 Z13 Z14
C6
Z15
Z17
C8 C9 C10
表格 6. mrf6s20010nr1(gnr1) 测试 电路 组件 designations 和 值 — 2110-2170 mhz
部分 描述 部分 号码 生产者
C1 100 nf 碎片 电容 (1206) CDR33BX104AKWS Kemet
c2, c6 4.7 pf 600b 碎片 电容 600B4R7CW C
c3, c7, c8 9.1 pf 600b 碎片 电容 600B9R1CW C
c4, c5, c9, c10 10
µ
f, 50 v 碎片 电容 GRM55DR61H106KA88B Murata
C11 10
µ
f, 35 v tantalum 碎片 电容 T490D106K035AS Kemet
R1 1 k
碎片 电阻 (1206)
R2 10 k
碎片 电阻 (1206)
R3 10
碎片 电阻 (1206)
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