飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk109-50dl
逻辑 水平的 topfet
图.14. 典型 直流 输入 特性, t
j
= 25 ˚c.
I
ISL
&放大; i
是
= f(v
是
); 保护 latched &放大; 正常的 运作
图.15. 典型 反转 二极管 电流, t
j
= 25 ˚c.
I
S
= f(v
SDS
); 情况: v
是
= 0 v
图.16. 测试 电路 为 resistive 加载 切换 时间.
图.17. 典型 切换 波形, resistive 加载.
V
DD
= 13 v; r
L
= 2.1
Ω
; r
I
= 50
Ω
, t
j
= 25 ˚c.
图.18. normalised 夹紧 活力 比率.
E
DSM
% = f(t
mb
); 情况: i
D
= 26 一个; v
是
= 5 v
图.19. 夹紧 活力 测试 电路, r
是
= 50
Ω
.
0 2 4 6
vis / v
iisl &放大; iis / ua
buk109-50dl
600
500
400
300
200
100
0
重置
保护 latched
正常的
IISL
IIS
0 200 400 600
时间 / 美国
vis / v &放大; vds / v
buk109-50dl
15
10
5
0
VIS
VDS
0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
EDSM%
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 1 2
vsd / v
是 / 一个
buk109-50dl
100
50
0
L
d.u.t.
VDD
RIS
r 01
VDS
-id/100
+
-
调往
VIS
0
P
D
S
I
TOPFET
ID
0
VDS
0
VDD
v(cl)dss
肖特基
VDD
d.u.t.
R
0V
0R1
I
VIS
id measure
D
S
I
TOPFET
P
RL
E
DSM
=
0.5
⋅
LI
D
2
⋅
V
(
CL
)
DSS
/(
V
(
CL
)
DSS
−
V
DD
)
六月 1996 7 rev 1.000
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