飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk101-50gs
TOPFET
转移 特性
T
mb
= 25 ˚c
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 10 v; i
DM
= 13 一个 t
p
≤
300
µ
s; 10 16 - S
δ
≤
0.01
I
d(sc)
流 电流
1
V
DS
= 13 v; v
是
= 10 v - 80 - 一个
切换 特性
T
mb
= 25 ˚c. r
I
= 50
Ω
. 谈及 至 波形 计算数量 和 测试 电路.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 13 v; v
是
= 10 v - 1.5 -
µ
s
t
r
上升 时间 resistive 加载 r
L
= 2.1
Ω
-6-
µ
s
t
d 止
转变-止 延迟 时间 V
DD
= 13 v; v
是
= 0 v - 18 -
µ
s
t
f
下降 时间 resistive 加载 r
L
= 2.1
Ω
-9-
µ
s
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 10 v; v
是
= 10 v - 2 -
µ
s
t
r
上升 时间 inductive 加载 i
DM
= 6 一个 - 1 -
µ
s
t
d 止
转变-止 延迟 时间 V
DD
= 10 v; v
是
= 0 v - 22 -
µ
s
t
f
下降 时间 inductive 加载 i
DM
= 6 一个 - 1 -
µ
s
反转 二极管 限制的 值
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
I
S
持续的 向前 电流 T
mb
≤
25 ˚c; v
是
= 0 v - 29 一个
反转 二极管 特性
T
mb
= 25 ˚c
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
SDS
向前 电压 I
S
= 29 一个; v
是
= 0 v; t
p
= 300
µ
s - 1.0 1.5 V
t
rr
反转 恢复 时间 不 适用
2
----
封套 特性
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 联系 screw 在 - 3.5 - nH
tab 至 centre 的 消逝
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 流 含铅的 6 mm - 4.5 - nH
从 包装 至 centre 的 消逝
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 6 mm - 7.5 - nH
从 包装 至 源 bond 垫子
1
在 超载 在之前 短的 电路 加载 保护 运作.
2
这 反转 二极管 的 这个 类型 是 不 将 为 产品 需要 快 反转 恢复.
january 1993 4 rev 1.200
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