飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk101-50gs
TOPFET
图.2. normalised 限制的 电源 消耗.
P
D
% = 100
⋅
P
D
/p
D
(25 ˚c) = f(t
mb
)
图.3. normalised 持续的 流 电流.
I
D
% = 100
⋅
I
D
/i
D
(25 ˚c) = f(t
mb
); 情况: v
是
= 5 v
图.4. safe 运行 范围. t
mb
= 25 ˚c
I
D
&放大; i
DM
= f(v
DS
); i
DM
单独的 脉冲波; 参数 t
p
图.5. 瞬时 热的 阻抗.
Z
th
j-mb
= f(t); 参数 d = t
p
/t
图.6. 典型 输出 特性, t
j
= 25 ˚c.
id = f(v
DS
); 参数 v
是
; t
p
= 250
µ
s &放大; t
p
< t
d sc
图.7. 典型 在-状态 特性, t
j
= 25 ˚c.
id = f(v
DS
); 参数 v
是
; t
p
= 250
µ
s
0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
PD%
normalised 电源 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1e-07 1e-05 1e-03 1e-01 1E+01
t / s
zth / (k/w)
10
1
0.1
0.01
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
buk101-50gs
d =
d =
t
p
t
p
T
T
P
t
D
0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
ID%
normalised 电流 减额
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 4 8 12 16 20 24 28 32
buk101-50gs
vds / v
id / 一个
100
50
0
9
11
10
8
7
6
5
4
3
2
vis / v
1 100
vds / v
1000
100
10
1
buk101-50gs
10
id &放大; idm / 一个
超载 保护 特性 不 显示
直流
100 美国
1 ms
10 ms
100 ms
10 美国
tp =
rds(在) = vds/id
0 2 4
buk101-50gs
vds / v
id / 一个
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
vis = 10 v
6 v
8 v
4 v
135
january 1993 5 rev 1.200
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