飞利浦 半导体 产品 规格
powermos 晶体管 buk101-50gs
TOPFET
图.8. 典型 在-状态 阻抗, t
j
= 25 ˚c.
R
ds(在)
= f(i
D
); 参数 v
是
; t
p
= 250
µ
s
图.9. 典型 转移 特性, t
j
= 25 ˚c.
I
D
= f(v
是
) ; 情况: v
DS
= 10 v; t
p
= 250
µ
s
图.10. 典型 跨导, t
j
= 25 ˚c.
g
fs
= f(i
D
); 情况: v
DS
= 10 v; t
p
= 250
µ
s
图.11. normalised 流-源 在-状态 阻抗.
一个 = r
ds(在)
/r
ds(在)
25 ˚c = f(t
j
); i
D
= 13 一个; v
是
= 10 v
图.12. 典型 超载 保护 特性.
t
d sc
= f(p
DS
); 情况: v
是
≥
5 v; t
j
= 25 ˚c.
图.13. normalised 限制的 超载 消耗.
P
DSM
% =100
⋅
P
DSM
/p
DSM
(25 ˚c) = f(t
mb
)
0 20 40 60 80 100
buk101-50gs
id / 一个
rds(在) / mohm
100
50
0
vis / v = 4 5 6 7 8 9
10 11
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tj / c
一个
normalised rds(在) = f(tj)
1.5
1.0
0.5
0
0 2 4 6 8 10 12
buk101-50gs
vis / v
id / 一个
100
50
0
0.1 1 10
pds / kw
td sc / ms
buk101-50gs
100
10
1
0.1
PDSM
0 20 40 60 80 100
buk101-50gs
id / 一个
gfs / s
20
15
10
5
0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
tmb / c
PDSM%
120
100
80
60
40
20
0
january 1993 6 rev 1.200
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