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April 1995 2
飞利浦 半导体 产品 规格
p-频道 增强 模式 vertical
d-mos 晶体管
BSP225
特性
•
低 r
ds(在)
•
直接 接口 至 c-mos, ttl,
等
•
高-速 切换
•
非 secondary 损坏.
描述
p-频道 增强 模式
vertical d-mos 晶体管 在 一个
小型的 sot223 封套,
将 为 使用 在 接转, 高-速
和 线条 变压器 驱动器.
固定 - sot223
管脚 描述
1 门
2 流
3 源
4 流
快 涉及 数据
管脚 配置
标识 参数 情况 最大值 单位
−
V
DS
流-源 电压 250 V
−
I
D
流 电流 直流 值 225 毫安
R
ds(在)
流-源 在-阻抗
−
I
D
= 200 毫安
−
V
GS
= 10 v
15
Ω
−
V
gs(th)
门-源 门槛 电压
−
I
D
= 1 毫安
V
GS
= v
DS
2.8 V
图.1  simplified 外形 和 标识.
handbook, halfpage
MAM121
4
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顶 视图
s
d
g

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April 1995 2 飞利浦半导体产品规格 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管 BSP225 特性 • 低 r ds(在) • 直接接口至 c-mos, ttl, 等 • 高-速切换 • 非 secondary 损坏. 描述 p-频道增强模式 vertical d-mos 晶体管在一个小型的 sot223 封套, 将为使用在接转, 高-速和线条变压器驱动器. 固定 - sot223 管脚描述 1 门 2 流 3 源 4 流快涉及数据管脚配置标识参数情况最大值单位 − V DS 流-源电压 250 V − I D 流电流直流值 225 毫安 R ds(在) 流-源在-阻抗 − I D = 200 毫安 − V GS = 10 v 15 Ω − V gs(th) 门-源门槛电压 − I D = 1 毫安 V GS = v DS 2.8 V 图.1 simplified 外形和标识. handbook, halfpage MAM121 4 123 顶视图 s d g

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