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半导体 组 2 29/jan/1998
buz 104 sl
SPP13N05L
最大 比率
参数 标识 值 单位
运行 温度
T
j
-55 ... + 175 °C
存储 温度
T
stg
-55 ... + 175
热的 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
≤
4.3 k/w
热的 阻抗, 接合面 - 包围的
R
thJA
≤
62
iec climatic 类别, din iec 68-1 55 / 175 / 56
电的 特性,
在
T
j
= 25°c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流- 源 损坏 电压
V
GS
= 0 v,
I
D
= 0.25 毫安,
T
j
= 25 °c
V
(br)dss
55 - -
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
ds,
I
D
= 20 µa
V
gs(th)
1.2 1.6 2
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 50 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= -40 °c
V
DS
= 50 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 25 °c
V
DS
= 50 v,
V
GS
= 0 v,
T
j
= 150 °c
I
DSS
-
-
-
-
0.1
-
100
1
0.1
µA
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0 v
I
GSS
- 10 100
nA
流-源 在-阻抗
V
GS
= 4.5 v,
I
D
= 8.8 一个
V
GS
= 10 v,
I
D
= 8.8 一个
R
ds(在)
-
-
0.062
0.105
0.07
0.12
Ω

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半导体组 2 29/jan/1998 buz 104 sl SPP13N05L 最大比率参数标识值单位运行温度 T j -55 ... + 175 °C 存储温度 T stg -55 ... + 175 热的阻抗, 接合面 - 情况 R thJC ≤ 4.3 k/w 热的阻抗, 接合面 - 包围的 R thJA ≤ 62 iec climatic 类别, din iec 68-1 55 / 175 / 56 电的特性, 在 T j = 25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值静态的特性流- 源损坏电压 V GS = 0 v, I D = 0.25 毫安, T j = 25 °c V (br)dss 55 - - V 门门槛电压 V GS = V ds, I D = 20 µa V gs(th) 1.2 1.6 2 零门电压流电流 V DS = 50 v, V GS = 0 v, T j = -40 °c V DS = 50 v, V GS = 0 v, T j = 25 °c V DS = 50 v, V GS = 0 v, T j = 150 °c I DSS - - - - 0.1 - 100 1 0.1 µA 门-源泄漏电流 V GS = 20 v, V DS = 0 v I GSS - 10 100 nA 流-源在-阻抗 V GS = 4.5 v, I D = 8.8 一个 V GS = 10 v, I D = 8.8 一个 R ds(在) - - 0.062 0.105 0.07 0.12 Ω

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