二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR08AS
低 电源 使用
非-insulated 类型, glass passivation 类型
✽
2. 焊接 和 陶瓷的 加设护板 (25mm
×
25mm
×
t0.7).
✽
3. 如果 特定的 值 的 i
GT
是 必需的, choose 在 least 二 items 从 那些 列表 在 这 表格 在下. (例子: ab, bc)
这 在之上 值 做 不 包含 这 电流 流 通过 这 1k
Ω
阻抗 在 这 门 和 cathode.
B
20 ~ 50
Item
I
GT
(
µ
一个)
一个
1 ~ 30
C
40 ~ 100
电的 特性
测试 情况
T
j
=125
°
c, v
RRM
应用, r
GK
=1k
Ω
T
j
=125
°
c, v
DRM
应用, r
GK
=1k
Ω
T
一个
=25
°
c, i
TM
=2.5a, instantaneous 值
T
一个
=25
°
c, v
D
=6v, i
T
=0.1a
✽
4
T
j
=125
°
c, v
D
=1/2v
DRM
, r
GK
=1k
Ω
T
j
=25
°
c, v
D
=6v, i
T
=0.1a
✽
4
T
j
=25
°
c, v
D
=12v, r
GK
=1k
Ω
接合面 至 包围的
✽
2
单位
毫安
毫安
V
V
V
µ
一个
毫安
°
c/w
典型值
—
—
—
—
—
—
1.5
—
标识
I
RRM
I
DRM
V
TM
V
GT
V
GD
I
GT
I
H
R
th (j-一个)
参数
repetitive 顶峰 反转 电流
repetitive 顶峰 止-状态 电流
在-状态 电压
门 触发 电压
门 非-触发 电压
门 触发 电流
支持 电流
热的 阻抗
限制
最小值
—
—
—
—
0.2
1
—
—
最大值
0.5
0.5
1.5
0.8
—
100
✽
3
3
65
3V
直流
I
GS
I
GT
6V
直流
60
Ω
V
GT
21
TUT
1k
Ω
R
GK
A3 A2
V1
A1
转变 1 : i
GT
度量
转变 2 : v
GT
度量
(inner 阻抗 的 电压 计量表 是 关于 1k
Ω
)
✽
4. i
GT
, v
GT
度量 电路.
转变
10
0
23 5710
1
4
2
23 5710
2
44
6
8
10
3
1
5
7
9
0
501 423
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
T
一个
= 25°c
最大 在-状态 特性
在-状态 电流 (一个)
在-状态 电压 (v)
评估 surge 在-状态 电流
surge 在-状态 电流 (一个)
传导 时间
(循环 在 60hz)
效能 曲线
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