二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR08AS
低 电源 使用
非-insulated 类型, glass passivation 类型
10
2
10
–2
10
0
10
1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–2
23 57 23 57
10
1
23 57
10
2
23 57 23
10
–1
V
FGM
= 6v
V
GT
= 0.8v
I
GT
= 100µa
(t
j
= 25°c)
P
GM
= 0.5w
P
g(av)
= 0.1w
V
GD
= 0.2v
I
FGM
= 0.3a
16060–20–40 0 20 40 80 100120140
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
典型 例子
1.0
0.8
0.7
0.6
0.3
0.4
0.1
0
120–40
–20 20 80
0.2
0.5
0.9
06040 100
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,,,
典型 例子
分发
1.6
1.2
0.6
0.4
0.2
1.4
1.0
0.8
0
1.60
0.4 0.8 1.2 1.40.2 0.6 1.0
θ
360°
θ
= 30° 60° 120°90°
180°
resistive, inductive 负载
最大 平均 电源 消耗
(单独的-阶段 half 波)
平均 电源 消耗 (w)
平均 在-状态 电流 (一个)
最大 瞬时 热的
阻抗 特性
(接合面 至 包围的)
瞬时 热的 阻抗 (°c/w)
时间 (s)
容许的 包围的 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(单独的-阶段 half 波)
包围的 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
门 触发 电压 vs.
接合面 温度
门 触发 电压
(
V
)
接合面 温度 (°c)
门 电压 (v)
门 电流 (毫安)
门 触发 电流 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (°c)
2310
0
5710
1
23 5710
2
23 5710
3
10
1
2310
–3
5710
–2
23 5710
–1
23 5710
0
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
7
5
3
2
10
0
铝 板
和 焊接
25 25 t0.7
160
120
60
40
20
140
100
80
0
1.60
0.4 0.8 1.2 1.40.2 0.6 1.0
θ
= 30°
60° 120°
90° 180°
θ
360°
resistive,
INDUCTIVE
负载
自然的
CONVECTION
铝 板
和 焊接
25 25 t0.7
门 特性
100 (%)
门 触发 电流 (t
j
= t°c)
门 触发 电流 (t
j
= 25°c)
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