二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR08AS
低 电源 使用
非-insulated 类型, glass passivation 类型
CR08AS
应用
固体的 状态 接转, strobe flasher, ignitor, 混合的 ic
•I
t (av)
........................................................................ 0.8a
•V
DRM
..............................................................400v/600v
•I
GT
.........................................................................100
µ
一个
标识
V
RRM
V
RSM
V
r (直流)
V
DRM
V
d (直流)
参数
repetitive 顶峰 反转 电压
非-repetitive 顶峰 反转 电压
直流 反转 电压
repetitive 顶峰 止-状态 电压
✽
1
直流 止-状态 电压
✽
1
电压 类
单位
V
V
V
V
V
最大 比率
8 (marked “ad”)
400
500
320
400
320
12 (marked “af”)
600
720
480
600
480
标识
I
t (rms)
I
t (av)
I
TSM
I
2
t
P
GM
P
g (av)
V
FGM
V
RGM
I
FGM
T
j
T
stg
—
参数
rms 在-状态 电流
平均 在-状态 电流
surge 在-状态 电流
I
2
t
为 fusing
顶峰 门 电源 消耗
平均 门 电源 消耗
顶峰 门 向前 电压
顶峰 门 反转 电压
顶峰 门 向前 电流
接合面 温度
存储 温度
重量
情况
商业的 频率, sine half 波, 180
°
传导, t
一个
=51
°
C
✽
2
60hz sine half 波 1 全部 循环, 顶峰 值, 非-repetitive
值 相应的 至 1 循环 的 half 波 60hz, surge 在-状态
电流
典型 值
单位
一个
一个
一个
一个
2
s
W
W
V
V
一个
°
C
°
C
mg
比率
1.26
0.8
10
0.42
0.5
0.1
6
6
0.3
–40 ~ +125
–40 ~ +125
48
✽
1. 和 门-至-cathode 阻抗 r
GK
=1k
Ω
2
1
3
1
2
3
T
1
终端
T
2
终端
门 终端
4.4±0.1
1.5±0.1
1.6±0.2
0.4±0.07
0.8 最小值
2.5±0.1
3.9±0.3
0.4
+0.03
–0.05
1
2
3
(后面的 一侧)
外形 绘画
维度
在 mm
sot-89
0.5±0.07
1.5±0.1 1.5±0.1
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