二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR08AS
低 电源 使用
非-insulated 类型, glass passivation 类型
容许的 包围的 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(单独的-阶段 half 波)
包围的 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
160
120
60
40
20
140
100
80
0
0.80
0.2 0.4 0.6 0.70.1 0.3 0.5
θ
360°
θ
= 180°
65°c/W
90°c/W
R
th(j – 一个)
= 200°c/W
自然的
CONVECTION
resistive,
INDUCTIVE
负载
160
120
60
40
20
140
100
80
0
160–40
0 40 80 120140–20 20 60 100
R
GK
= 1k
Ω
典型 例子
1.6
1.2
0.6
0.4
0.2
1.4
1.0
0.8
0
1.60
0.4 0.8 1.2 1.40.2 0.6 1.0
θ
= 30° 60° 120°90°
180°
θ θ
360°
resistive 负载
1.6
1.2
0.6
0.4
0.2
1.4
1.0
0.8
0
1.60
0.4 0.8 1.2 1.40.2 0.6 1.0
θ
= 30° 60° 120°
90° 180°
270°
直流
θ
360°
resistive,
INDUCTIVE
负载
最大 平均 电源 消耗
(单独的-阶段 全部 波)
平均 电源 消耗 (w)
平均 在-状态 电流 (一个)
容许的 包围的 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(单独的-阶段 全部 波)
包围的 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
最大 平均 电源 消耗
(rectangular 波)
平均 电源 消耗 (w)
平均 在-状态 电流 (一个)
容许的 包围的 温度 vs.
平均 在-状态 电流
(rectangular 波)
包围的 温度 (°c)
平均 在-状态 电流 (一个)
breakover 电压 vs.
接合面 温度
接合面 温度 (°c)
100 (%)
breakover 电压
(
T
j
= t°c
)
breakover 电压
(
T
j
=25°C
)
160
120
60
40
20
140
100
80
0
1.60
0.4 0.8 1.2 1.40.2 0.6 1.0
θ θ
360°
θ
= 30°
120°
90° 180°
60°
resistive 负载
自然的
CONVECTION
铝 板
和 焊接
25 25 t0.7
160
120
60
40
20
140
100
80
0
1.60
0.4 0.8 1.2 1.40.2 0.6 1.0
直流
θ
= 30° 120°
180°
270°60°
90°
θ
360°
resistive,
INDUCTIVE
负载
自然的
CONVECTION
铝 板
和 焊接
25 25 t0.7
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