二月.1999
mitsubishi 半导体
〈
THYRISTOR
〉
CR08AS
低 电源 使用
非-insulated 类型, glass passivation 类型
10
1
10
0
10
2
4.0
0
2.0
2.5
3.0
3.5
1.0
1.5
0.5
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
0
80
100
120
40
60
20
典型 例子
T
j
= 125°c
breakover 电压 vs.
门 至 cathode 阻抗
门 至 cathode 阻抗 (k
Ω
)
100 (%)
breakover 电压
(
R
GK
=rk
Ω
)
breakover 电压
(
R
GK
= 1k
Ω
)
2310
0
5710
1
23 5710
2
23 5710
3
160
0
80
100
120
140
40
60
20
T
j
= 125°c
R
GK
= 1k
Ω
典型 例子
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
500
0
300
400
100
200
10
0
2310
–1
5710
0
23 5710
1
23 5710
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–1
V
D
= 100v
R
L
= 47
Ω
R
GK
= 1k
Ω
T
一个
= 25°c
典型 例子
60–20–40–60
0 20 40 80 100120140
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
–2
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
支持 电流 vs.
接合面 温度
支持 电流 (毫安)
接合面 温度 (°c)
支持 电流 vs.
门 至 cathode 阻抗
门 至 cathode 阻抗 (k
Ω
)
100 (%)
支持 电流
(
R
GK
=rk
Ω
)
支持 电流
(
R
GK
= 1k
Ω
)
breakover 电压 vs.
比率 的 上升 的 止-状态 电压
比率 的 上升 的 止-状态 电压 (v/µs)
100 (%)
breakover 电压
(
dv/dt = vv/µs
)
breakover 电压
(
dv/dt = 1v/µs
)
转变-在 时间 vs. 门 电流
转变-在 时间 (µs)
门 电流 (毫安)
支持 电流 vs.
门 触发 电流
支持 电流 (毫安)
门 触发 电流 (µa)
分发
I
GT
(25°c) = 35µa
R
GK
= 1k
Ω
典型 例子
# 1
T
j
= 25°c
T
j
= 25°c
典型 例子
I
GT
(25°c) i
H
(1k
Ω
)
# 1 25µa 0.9ma
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