K4S161622D cmos sdram
绝对 最大 比率
参数 标识 值 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 vss V在, v输出 -1.0 ~ 4.6 V
电压 在 vDD供应 相关的 至 vss VDD, vDDQ -1.0 ~ 4.6 V
存储 温度 TSTG -55 ~ +150
°
C
电源 消耗 PD 1 W
短的 电路 电流 IOS 50 毫安
永久的 设备 损坏 将 出现 如果 绝对 最大 比率 是 超过.
函数的 运作 应当 是 restricted 至 推荐 运行 情况.
暴露 至 高等级的 比 推荐 电压 为 扩展 时期 的 时间 可以 影响 设备 可靠性.
便条 :
直流 运行 情况
推荐 运行 情况 (电压 关联 至 vSS= 0v, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 便条
供应 电压 VDD, vDDQ 3.0 3.3 3.6 V 4
输入 逻辑 高 votlage VIH 2.0 3.0 VDDQ+0.3 V 1
输入 逻辑 低 电压 VIL -0.3 0 0.8 V 2
输出 逻辑 高 电压 VOH 2.4 - - V IOH= -2ma
输出 逻辑 低 电压 VOL - - 0.4 V IOL= 2ma
输入 泄漏 电流 ILI -10 - 10 uA 3
便条 :
电容
(vDD= 3.3v, t一个= 23
°
c, f = 1mhz, vREF=1.4v
±
200mv)
管脚 标识 最小值 最大值 单位
时钟 CCLK 2 4 pF
RAS,CAS,我们,CS, cke, l(u)dqm C在 2 4 pF
地址 C增加 2 4 pF
DQ0~ dq15 C输出 3 5 pF
1. vIH(最大值) = 5.6v 交流. 这 越过 电压 持续时间 是
≤
3ns.
2. vIL(最小值) = -2.0v 交流. 这 undershoot 电压 持续时间 是
≤
3ns.
3. 任何 输入 0v
≤
V在
≤
VDDQ.
输入 泄漏 电流 包含 hi-z 输出 泄漏 为 所有 bi-directional 缓存区 和 触发-状态 输出.
4. 这 vdd 情况 的 k4s161622d-55/60 是 3.135v~3.6v.
:
解耦 电容 手册 线条
推荐 解耦 电容 增加 至 电源 线条 在 板.
参数 标识 值 单位
解耦 电容 在 vDD和 vSS CDC1 0.1 + 0.01 uF
解耦 电容 在 vDDQ和 vSSQ CDC2 0.1 + 0.01 uF
1. vDD和 vDDQ管脚 是 separated 各自 其它.
所有 vDD管脚 是 连接 在 碎片. 所有 vDDQ管脚 是 连接 在 碎片.
2. vSS和 vSSQ管脚 是 separated 各自 其它
所有 vSS管脚 是 连接 在 碎片. 所有 vSSQ管脚 是 连接 在 碎片.
便条 :
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