K4S161622D cmos sdram
1. 除非 否则 注释, 输入 水平的 是 cmos(vIH/vIL=VDDQ/vSSQ) 在 lvttl.
2. 量过的 和 输出 打开. 地址 是 changed 仅有的 一个 时间 在 tcc(最小值).
3. refresh 时期 是 32ms. 地址 是 changed 仅有的 一个 时间 在 tcc(最小值).
4. k4s161622d-tc**
5. k4s161622d-tl**
便条 :
直流 特性
(推荐 运行 情况 除非 否则 指出, t一个= 0 至 70
°
c)
参数 标识 测试 情况
CAS
Latency
版本
单位 便条
-55 -60 -70 -80 -10
运行 电流
(一个 bank 起作用的)
ICC1
burst 长度 =1
tRC
≥
tRC(最小值)
Io= 0 毫安
3 120 115 105 95 85
毫安 2
2 - - 110 95 80
precharge 备用物品 cur-
rent 在 电源-向下 模式
ICC2P CKE
≤
VIL(最大值), tCC= 15ns 2
毫安
ICC2PS cke &放大; clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
2
precharge 备用物品 电流
在 非 电源-向下 模式
ICC2N
CKE
≥
VIH(最小值),CS
≥
VIH(最小值), tCC= 15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 30ns
15
毫安
ICC2NS
CKE
≥
VIH(最小值), clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
输入 信号 是 稳固的
5
起作用的 备用物品 电流
在 电源-向下 模式
ICC3P CKE
≤
VIL(最大值), tCC= 15ns 3
毫安
ICC3PS cke &放大; clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
3
起作用的 备用物品 电流
在 非 电源-向下 模式
(一个 bank 起作用的)
ICC3N
CKE
≥
VIH(最小值),CS
≥
VIH(最小值), tCC= 15ns
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 30ns
25 毫安
ICC3NS
CKE
≥
VIH(最小值), clk
≤
VIL(最大值), tCC=
∞
输入 信号 是 稳固的
15 毫安
运行 电流
(burst 模式)
ICC4
Io= 0 毫安
页 burst 2banks 使活动
tCCD= 2clks
3 155 150 140 130 115
毫安 2
2 - - 125 115 100
refresh 电流 ICC5 tRC
≥
tRC(最小值)
3 105 100 90 90 80
毫安 3
2 - - 100 90 80
自 refresh 电流 ICC6 CKE
≤
0.2v
1 毫安 4
250 uA 5
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