M12L16161A
elite 半导体 记忆 技术 公司
p.
3
发行 日期
:
jan. 2000
修订
:
1.3u
V
DDQ
/v
SSQ
数据 输出 电源/地面
分开的 电源 供应 和 地面 为 这 输出 缓存区 至 提供 改进
噪音 免除.
n.c/rfu
非 连接/
保留 为 future 使用
这个 管脚 是 推荐 至 是 left 非 连接 在 这 设备.
绝对 最大 比率
参数 标识 Value 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 v
SS
V
在,
V
输出
-1.0 ~ 4.6 V
电压 在 v
DD
供应 相关的 至 v
SS
V
DD
,v
DDQ
-1.0 ~ 4.6 V
存储 温度 T
STG
-55 ~ + 150
C
°
电源 消耗 P
D
1W
短的 电路 电流 I
OS
50 毫安
便条:
永久的 设备 损坏 将 出现 如果 绝对 最大 比率 是 超过.
函数的 运作 应当 是 restricted 至 推荐 运行 情况.
暴露 至 高等级的 比 推荐 电压 为 扩展 时期 的 时间 可以 影响 设备 可靠性.
直流 运行 情况
推荐 运行 情况 (电压 关联 至 vss = 0v, ta=0 至 70
C
°
)
参数 标识 最小值 Typ 最大值 单位 便条
供应 电压 V
DD
,v
DDQ
3.0 3.3 3.6 V
输入 逻辑 高 电压 V
IH
2.0 3.0 V
DD
+0.3 V 1
输入 逻辑 低 电压 V
IL
-0.3 0 0.8 V 2
输出 逻辑 高 电压 V
OH
2.4 - - V I
OH
=-2ma
输出 逻辑 低 电压 V
OL
- - 0.4 V I
OL
= 2ma
输入 泄漏 电流 I
IL
-5 - 5 uA 3
输出 泄漏 电流 I
OL
-5 - 5 uA 4
便条 :
1.v
IH
(最大值) = 4.6v 交流 为 脉冲波 宽度
≤
10ns 可接受的.
2.v
IL
(最小值) = -1.5v 交流 为 脉冲波 宽度
≤
10ns 可接受的.
3.任何 输入 0v
≤
V
在
≤
V
DD
+ 0.3v, 所有 其它 管脚 是 不 下面 测试 = 0v.
4.dout 是 无能, 0v
≤
V
输出
≤
V
DD
.
电容
(v
DD
= 3.3v, t
一个
= 25
C
°
, f = 1mhz)
管脚 标识 最小值 最大值 单位
时钟 C
CLK
2.5 4.0 pF
RAS , CAS , 我们 , CS , cke, ldqm,
UDQM
C
在
2.5 5.0 pF
地址 C
增加
2.5 5.0 pF
dq0 ~dq15 C
输出
4.0 6.5 pF
: 点此下载
