MTB50N06VL
3
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
0 0.5 1
0
10
60
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
1 3 5
10
0
0
20
50
60
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 9 18 54
0.02
0.06
0.04
0.01
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 20 30 60
0
0.02
0.04
0.035
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
– 50
0.6
0.8
1.2
1.6
1.8
0 10 20 40 50 60
10
100
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
– 25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 5 v
I
D
= 21 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
8 v
6 v
5 v
3 v
V
GS
= 5 v
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
25
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 5 v
10 v
V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C
30
50
1.5
30
27
10
30
V
DS
≥
10 v
T
J
= –55
°
C
100
°
C
4 v
2
4 6
40
63
0
1
1.4
1000
100
°
C
2 2.5 3
90
80
70
20
40
72
0.05
0.03
36 45
40 50
0.01
0.03
0.025
0.4
0.2
0
7 v
70
80
90
81 90
0.015
0.005
70 80
90
2
175
: 点此下载
