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资料编号:491759
 
资料名称:MTB50N06VL
 
文件大小: 249.58K
   
说明
 
介绍:
TMOS POWER FET 42 AMPERES 60 VOLTS
 
 


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1
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计者's
数据 薄板
TMOS V
电源 地方 效应 晶体管
D
2
PAK 表面 挂载
n–channel enhancement–mode 硅 门
TMOSv is 一个 new technology designed to 一个chieve 一个 on–resistance
范围产品 关于 one–half 那 的 标准mosfets. 这个 新
技术更多 比 doubles 这 呈现 cell 密度 的 我们的 50
60 volt tmos 设备. just 作 和 我们的 tmos e–fet 设计,
commutationmodes. designed for lowvoltage, high speed
切换一个pplications in power supplies, converters 一个nd power
发动机 控制, 这些 设备 是 特别 好 suited 为 桥
电路 在哪里 二极管 速 和 commutating safe 运行 areas
核心的 和 的fer额外的 安全 余裕 相反 unexpected
电压 过往旅客.
新 特性 的 tmos v
on–resistance 范围 产品 关于 one–half 那 的 标准
mosfets 和 新 低 电压, 低 r
ds(在)
技术
faster 切换 比 e–fet predecessors
特性 一般 至 tmos v 和 tmos e–fets
avalanche 活力 指定
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
静态的 参数 是 这 一样 为 两个都 tmos v 和
tmos e–fet
表面 挂载 包装 有 在 16 mm 13–inch/2500 单位
录音带 &放大; 卷轴, 增加 t4 后缀 至 部分 号码
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 单位
drain–to–source 电压 V
DSS
60 Vdc
drain–to–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
) V
DGR
60 Vdc
gate–to–source 电压 — 持续的
gate–source 电压— non–repetitive (t
p
10 ms)
V
GS
V
GSM
±
15
±
20
Vdc
Vpk
流 电流 — 持续的 @ 25
°
C
流 电流— 持续的 @ 100
°
C
流 电流— 单独的 脉冲波 (t
p
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
42
30
147
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗 @ 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c (1)
P
D
125
0.83
3.0
Watts
w/
°
C
Watts
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
55 至 175
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 5 vdc, 顶峰 i
L
= 42 apk, l = 0.3 mh, r
G
= 25
)
E
265 mJ
热的 阻抗 — 接合面 至 情况
热的 阻抗— 接合面 至 包围的
热的 阻抗— 接合面 至 包围的 (1)
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
1.2
62.5
50
°
c/w
最大 含铅的 temperature 为 焊接 目的, 1/8
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
(1) 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小.
设计者’s 数据 为 “worst case” 情况
这 设计者’s 数据 薄板 准许 这 设计 的 大多数 电路 全部地 从 这 信息 提交. soa 限制
曲线 representingboundaries 在 设备 特性 是 给 至 facilitate “worst case” 设计.
Designer’s是 一个 商标 的 motorola, 公司 tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola, 公司
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 2
顺序 这个 文档
用 mtb50n06vl/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
TM
MTB50N06VL
tmos 电源 场效应晶体管
42 amperes
60 伏特
R
ds(在)
= 0.032 ohm
情况 418b–02, 样式 2
D
2
PAK
D
S
G
motorola preferred 设备
motorola, 公司 1996
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