MTB50N06VL
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
drain–to–source 二极管 特性
0.5 0.7 0.85 0.9
10
V
SD
, source–to–drain 电压 (伏特)
图示 8. gate–to–source 和 drain–to–source
电压 相比 总的 承担
I
S
, 源 电流 (放大器)
图示 9. resistive 切换 时间
变化 相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (ohms)
1 10 100
t, 时间 (ns)
T
J
= 25
°
C
I
D
= 42 一个
V
DD
= 30 v
V
GS
= 5 v
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
0
Q
T
, 总的 承担 (nc)
10 20 40 5030
T
J
= 25
°
C
I
D
= 42 一个
0
15
20
1000
100
10
1
2
0
12
6
4
30
25
0
t
f
t
d(止)
t
d(在)
t
r
V
GS
Q2
5
Q3
QT
Q1
V
DS
0.80.750.55 0.650.6
10
15
20
8
10
25
5
safe 运行 范围
这向前 片面的 safe 运行 范围 曲线 定义
这maximum simultaneous drain–to–source voltage一个nd
流电流 那 一个 晶体管 能 handle safely 当 它 是
向前biased. curves 一个re based upon maximum peak
接合面温度 和 一个情况 温度 (t
C
) 的 25
°
c.
顶峰repetitive 搏动 电源 限制 是 决定 用 使用
这热的 回馈 数据 在 conjunction 和 这 程序
discussed 在 an569, “transient 热的 resistance–general
数据 和 它的 使用.”
切换between the off–state 一个nd the on–state may
traverse任何 加载 线条 提供 neither 评估 顶峰 电流
(i
DM
)也不 评估 电压 (v
DSS
) 是 超过 和 这 转变
时间(t
r
,t
f
) 做 不 超过 10
µ
s. 在 增加这 总的 电源
averaged在 一个 完全 切换 循环 必须 不 超过
(t
j(最大值)
– t
C
)/(r
θ
JC
).
一个电源 场效应晶体管 designated e–fet 能 是 safely 使用
在switching circuits w它h unclamped inductive loads. f或者
可依靠的运作, 这贮存 活力 从 电路 电感
dissipated在 这晶体管 当 在 avalanche 必须 是 较少
比the rated limit 一个nd 一个djusted for operating conditions
differing从 那些 指定.虽然 工业 实践 是 至
比率在 条款 的活力, avalanche 活力 能力 是 不 一个
常量.这 活力 比率 减少 non–linearly 和一个
增加of peak current in 一个valanche一个nd peak junction
温度.
一个lthoughm一个ny e–FETs c一个n withst一个d the stress of
drain–to–source一个valanche 一个t currents up to rated pulsed
current(I
DM
),the energy r一个ting is specified 一个t r一个ted
持续的 电流 (i
D
), 在 一致 和 工业 custom.
这活力 比率 必须 是 derated 为 温度 作 显示
在这 accompanying 图表 (图示 12). 最大 活力 在
电流在下 评估 持续的 i
D
能 safely是 assumed 至
equal 这 值 表明.
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