MTB50N06VL
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
信息 为 使用 这 d
2
pak 表面 挂载 包装
推荐 footprint 为 表面 挂载 产品
表面挂载 板 布局 是 一个 核心的 portion 的 这总的
设计.这 footprint 为 这 半导体 包装 必须 是
这 准确无误的 大小 至 确保 恰当的 焊盘 连接 接口
在这 板和 这 包装. 和 这 准确无误的 垫子
geometry,这 包装 将 自 排整齐 当 subjected 至一个
焊盘 软熔焊接 处理.
mm
英寸
0.33
8.38
0.08
2.032
0.04
1.016
0.63
17.02
0.42
10.66
0.12
3.05
0.24
6.096
电源 消耗 为 一个 表面 挂载 设备
这电源 消耗 为 一个 表面 挂载 设备 是 一个
函数的 这 流 垫子 大小. 这些 能 相异 从这
最小垫子 大小 为 焊接 至 一个 垫子 大小 给 为
最大 电源 消耗. 电源 消耗 为 一个 表面
挂载 设备 是 决定 用 t
j(最大值)
, 这 最大 评估
接合面温度 的 这 消逝, r
θ
JA
, 这 热的 阻抗
从这 设备 接合面 至 包围的, 和 这 运行
温度,T
一个
. 使用 这 值提供 在 这 数据 薄板,
P
D
能 是 计算 作 跟随:
P
D
=
T
j(最大值)
– t
一个
R
θ
JA
这值 为 这 等式是 建立 在 这 最大
比率表格 在 这 数据 薄板. substituting 这些 值 在
这 等式 为 一个 包围的 温度 t
一个
的 25
°
c, 一个 能
计算这 电源 消耗 的 这 设备. 为 一个D
2
PAK
设备, p
D
是 计算 作 跟随.
P
D
=
175
°
c – 25
°
C
50
°
c/w
= 3.0 watts
这50
°
c/w 为 这 d
2
Pak 包装 假设 这 使用 的 这
推荐footprint 在 一个 glass 环氧的 打印 电路 板
至达到 一个 电源 消耗 的 3.0 watts. 那里 是 其它
alternatives至 实现 高等级的 电源 消耗 从 这
表面挂载 包装. 一个 是 至 增加 这 范围 的这
流垫子. 用 增加 这 范围 的 这 流 垫子, 这电源
消耗能是 增加. 虽然 一个 能 almost 翻倍
这电源 消耗 和 这个 方法, 一个 将是 给 向上
范围在 这 打印 电路 板 这个 能defeat 这 目的
的使用 表面 挂载 技术. 为 例子, 一个 图表 的
R
θ
JA
相比 流 垫子 范围 是 显示 在 图示 16.
图示 16. 热的 阻抗 相比 流 垫子
范围 为 这 d
2
pak 包装 (典型)
2.5 watts
一个, 范围 (正方形的 英寸)
板 材料 = 0.0625
″
g–10/fr–4, 2 oz 铜
T
一个
= 25
°
C
60
70
50
40
30
20
1614121086420
3.5 watts
5 watts
至 包围的 ( c/w)
°
R
JA
, 热的 阻抗, 接合面
θ
另一alternative 将 是 至 使用 一个 陶瓷的 基质 或者
一个铝 核心 板 此类 作 热的 clad
. 使用 一个
板材料 此类 作 热的 clad, 一个 铝 核心
板,这 电源 消耗 能 是 doubled 使用 这 一样
footprint.
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