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资料编号:495046
 
资料名称:MW6S010GNR1
 
文件大小: 542.96K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistor
 
 


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rf 设备 数据
freescale 半导体
mw6s010nr1 mw6s010gnr1 mw6s010mr1 mw6s010gmr1
f
MHz
Z
Z
加载
800
820
840
3.1 + j1.9
2.7 + j2.2
2.8 + j1.7
10.1 + j2.3
8.3 + j2.5
8.2 + j3.3
V
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 125 毫安, p
输出
= 10 w pep
860
880
900
3.1 + j3.4
2.9 + j3.7
3.3 + j3.8
9.8 + j4.8
10.6 + j5.6
9.5 + j5.5
920
940
960
2.8 + j4.4
3.2 + j4.9
3.0 + j4.7
10.1 + j5.9
11.0 + j6.4
11.8 + j6.6
980 3.6 + j5.2 12.1 + j7.1
图示 13. 序列 相等的 源 和 加载 阻抗
— 900 mhz
Z
= 测试 电路 阻抗 作 量过的 从
门 至 地面.
Z
加载
= 测试 电路 阻抗 作 量过的
从 流 至 地面.
Z
Z
加载
输入
相一致
网络
设备
下面
测试
输出
相一致
网络
f = 800 mhz
f = 980 mhz
Z
o
= 25
f = 800 mhz
f = 980 mhz
Z
加载
Z
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