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mw6s010nr1 mw6s010gnr1 mw6s010mr1 mw6s010gmr1
7
rf 设备 数据
freescale 半导体
典型 特性
210
10
8
90
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 12. mttf 因素 相比 接合面 温度
这个 在之上 图表 显示 计算 mttf 在 小时 x ampere
2
流 电流. 生命 tests 在 提升 温度 有 correlated 至
更好的比
±
10% 的 这 theoretical prediction 为 metal 失败. 分隔
mttf 因素 用 i
D
2
为 mttf 在 一个 particular 应用.
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mttf 因素 (小时 x 放大器
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mw6s010nr1 mw6s010gnr1 mw6s010mr1 mw6s010gmr1 7 rf 设备数据 freescale 半导体典型特性 210 10 8 90 T J , 接合面温度 ( ° c) 图示 12. mttf 因素相比接合面温度这个在之上图表显示计算 mttf 在小时 x ampere 2 流电流. 生命 tests 在提升温度有 correlated 至更好的比 ± 10% 的这 theoretical prediction 为 metal 失败. 分隔 mttf 因素用 i D 2 为 mttf 在一个 particular 应用. 10 7 10 6 10 5 120 140 160 180 190 mttf 因素 (小时 x 放大器 2 ) 100 200170150130110

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