mw6s010nr1 mw6s010gnr1 mw6s010mr1 mw6s010gmr1
9
rf 设备 数据
freescale 半导体
图示 14. mw6s010nr1(gnr1/mr1/gmr1) 测试 电路 图式 — 450 mhz
C5
C2
+
RF
输出
C6
V
偏差
V
供应
RF
输入
Z1
C9
Z5
R6
DUT
B2
C4
Z6
L1
C12 C11
C10
Z5 0.475
″
x 0.330
″
Microstrip
Z6 0.475
″
x 0.325
″
Microstrip
Z8 1.250
″
x 0.080
″
Microstrip
PCB rogers ultralam 2000, 0.030
″
,
ε
r
= 2.55
Z1 0.540
″
x 0.080
″
Microstrip
Z2 0.365
″
x 0.080
″
Microstrip
Z3 0.225
″
x 0.080
″
Microstrip
z4, z7 0.440
″
x 0.080
″
Microstrip
C7
Z2
C8
Z3 Z4
C3
C1
+
R2
R5
R1
T1
R3
R4
T2
Z8Z7
B1
C13 C14 C15
+
表格 7. mw6s010nr1(gnr1/mr1/gmr1) 测试 电路 组件 designations 和 值 — 450 mhz
部分 描述 部分 号码 生产者
b1, b2 ferrite bead 2743019447 Fair-Rite
C1 1
µ
f, 35 v tantalum 电容 T491C105K050AS Kemet
c2, c15 22
µ
f, 35 v tantalum 电容 T491X226K035AS Kemet
c3, c14 0.1
µ
f 碎片 电容 C1210C104K5RACTR Kemet
c4, c9, c10, c13 330 pf 碎片 电容 700A331JP150X 在C
C5 4.3 pf 碎片 电容 100B4R3JP500X 在C
c6, c11 0.6-8.0 pf 能变的 电容 27291SL Johanson
c7, c8, c12 4.7 pf 碎片 电容 100B4R7JP500X 在C
L1 39
µ
h 碎片 inductor ISC-1210 Vishay-Dale
R1 10
Ω
碎片 电阻 (0805) CRCW080510R0F100 Vishay-Dale
R2 1 k
Ω
碎片 电阻 (0805) CRCW08051001F100 Vishay-Dale
R3 1.2 k
Ω
碎片 电阻 (0805) CRCW08051201F100 Vishay-Dale
R4 2.2 k
Ω
碎片 电阻 (0805) CRCW08052201F100 Vishay-Dale
R5 5 k
Ω
分压器 1224W Bourns
R6 1 k
Ω
碎片 电阻 (1206) CRCW12061001F100 Vishay-Dale
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T2 npn 晶体管 BC847ALT1 在 半导体
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