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资料编号:495046
 
资料名称:MW6S010GNR1
 
文件大小: 542.96K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistor
 
 


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6
rf 设备 数据
freescale 半导体
mw6s010nr1 mw6s010gnr1 mw6s010mr1 mw6s010gmr1
典型 特性
— 900 mhz
acpr (dbc)
0−60
P
输出
, 输出 电源 (watts) avg.
50
−10
40
−20
30
−30
20
−40
10
−50
0.1 1 10
G
ps
ACPR
V
DD
= 28 vdc
I
DQ
= 125 毫安
f = 945 mhz
图示 8. 单独的-运输车 cdma acpr, 电源
增益 和 电源 增加 效率
相比 输出 电源
100
15
20
0.1
0
50
T
C
=30
C
25
C
−30
C
101
19
18
17
16
40
30
20
10
P
输出
, 输出 电源 (watts) cw
图示 9. 电源 增益 和 电源 增加
效率 相比 输出 电源
G
ps
, 电源 增益 (db)
G
ps
P
输出
, 输出 电源 (watts) cw
图示 10. 电源 增益 相比 输出 电源
16 v
I
DQ
= 125 毫安
f = 945 mhz
V
DD
= 12 v
14
15
19
012
17
16
18
468
G
ps
, 电源 增益 (db)
0
24
500
−25
5
S21
f, 频率 (mhz)
图示 11. broadband 频率 回馈
S11
20 0
16
−5
12 10
8−15
4
−20
120011001000900800700600
V
DD
= 28 vdc
P
输出
= 10 w cw
I
DQ
= 125 毫安
s11 (db)
s21 (db)
85
C
25
C
85
C
16102
20 v
V
DD
= 28 vdc
I
DQ
= 125 毫安
f = 945 mhz
24 v
28 v
32 v
η
D
η
D
, 流 效率 (%), g
ps
, 电源 增益 (db)
η
D
η
D
,
流 效率 (%)
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