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资料编号:495046
 
资料名称:MW6S010GNR1
 
文件大小: 542.96K
   
说明
 
介绍:
RF Power Field Effect Transistor
 
 


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mw6s010nr1 mw6s010gnr1 mw6s010mr1 mw6s010gmr1
5
rf 设备 数据
freescale 半导体
典型 特性
— 900 mhz
970
16
48
910
−26
−8
IRL
G
ps
IMD
f, 频率 (mhz)
V
DD
= 28 vdc, p
输出
= 10 w (avg.)
I
DQ
= 125 毫安, 100 khz 声调 间隔
44
−10
40
−12
36
−14
32
−16
28
−18
24
−20
20
−22
930 950 960
图示 3. 二-声调 wideband 效能
@ p
输出
= 10 watts
P
输出
, 输出 电源 (watts) avg.
15
20
1
I
DQ
= 190 毫安
V
DD
= 28 vdc, f = 945 mhz
声调 度量
100 khz 声调 间隔
19
17
16
10 100
图示 4. 二-声调 电源 增益 相比
输出 电源
100
−70
−10
0.1
7th 顺序
V
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 125 毫安
f = 945 mhz, 二声调度量
100 khz 声调 间隔
5th 顺序
3rd 顺序
110
−20
−30
−40
−50
−60
P
输出
, 输出 电源 (watts) avg.
图示 5. 交调 扭曲量 产品
相比 输出 电源
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
G
ps
, 电源 增益 (db)
irl, 输入 返回 丧失 (db)
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
10
−55
−15
0.1
7th 顺序
声调 间隔 (mhz)
V
DD
= 28 vdc, p
输出
= 10 w (avg.)
I
DQ
= 125 毫安, 二声调度量
中心 频率 = 945 mhz
5th 顺序
3rd 顺序
−20
−25
−30
−35
−40
1 100
图示 6. 交调 扭曲量 产品
相比 声调 间隔
29
48
p3db = 43.14 dbm (20.61 w)
P
, 输入 电源 (dbm)
V
DD
= 28 vdc, i
DQ
= 125 毫安
搏动 cw, 8
µ
秒(在), 1 msec(止)
中心 频率 = 945 mhz
46
44
42
40
38
21 23 25
真实的
完美的
2719
图示 7. 脉冲波 cw 输出 电源 相比
输入 电源
imd, 交调 扭曲量 (dbc)
P
输出
, 输出 电源 (dbm)
920 940
18
90 毫安
125 毫安
p1db = 42.23 dbm (16.71 w)
−50
−45
−24
0.1
η
D
, 流 效率 (%), g
ps
, 电源 增益 (db)
η
D
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