半导体 组件 industries, llc, 2004
12月, 2004 − rev. 4
1
发行 顺序 号码:
ntd80n02/d
NTD80N02
电源 场效应晶体管
24 v, 80 一个, n−channel dpak
设计 为 低 电压, 高 速 切换 产品 在
电源 供应, 转换器 和 电源 发动机 控制 和 桥
电路.
特性
•
pb−free 包装 是 有
典型 产品
•
电源 供应
•
转换器
•
电源 发动机 控制
•
桥 电路
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
drain−to−source 电压 V
DSS
24 Vdc
gate−to−source 电压 − 持续的 V
GS
±
20 Vdc
流 电流 − 持续的 @ t
C
= 25
°
C
流 电流− 单独的 脉冲波 (t
p
= 10
s)
I
D
I
DM
80*
200
模数转换器
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
C P
D
75 Watts
运行 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
−55 至
150
°
C
单独的 脉冲波 drain−to−source avalanche
活力 − 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 24 vdc, v
GS
= 10 vdc,
I
L
= 17 apk, l = 5.0 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
733 mJ
热的 阻抗
− junction−to−case
− junction−to−ambient (便条 1)
− junction−to−ambient (便条 2)
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
1.65
67
120
°
c/w
最大 含铅的 温度 为 焊接
目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒
T
L
260
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
1. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 1
″
垫子 大小,
(cu 范围 1.127 在
2
).
2. 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐
垫子 大小, (cu 范围 0.412 在
2
).
*chip 电流 能力 限制 用 包装.
Y = 年
WW = 工作 week
80N02 = 设备 代号
3
源
2
流
4
流
1
门
3
源
2
流
4
流
1
门
YWW
80
N02
YWW
80
N02
看 详细地 订货 和 shipping 信息 在 这 包装
维度 部分 在 页 5 的 这个 数据 薄板.
订货 信息
http://onsemi.com
情况 369aa
DPAK
(表面 挂载)
样式 2
标记 图解
&放大; 管脚 assignments
1
2
3
4
1
2
3
4
情况 369d
DPAK
(笔直地 含铅的)
样式 2
24 v 5.0 m
R
ds(在)
典型值
80 一个
I
D
最大值V
(br)dss
N−Channel
D
S
G
1
2
3
4
情况 369c
DPAK
(表面 挂载)
样式 2
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