初步的
rev. 3.0
- 3 -
july 2004
初步的
K6R1004C1D
cmos sram
256k x 4 位 (和 oe) 高-速 cmos 静态的 内存
一般 描述特性
• 快 进入 时间 10ns(最大值.)
• 电源 消耗
备用物品 (ttl) : 20ma(最大值.)
(cmos) : 5ma(最大值.)
运行 k6r1004c1d-10: 65ma(最大值.)
• 单独的 5.0v
±
10% 电源 供应
• ttl 兼容 输入 和 输出
• i/o 兼容 和 3.3v 设备
• 全部地 静态的 运作
- 非 时钟 或者 refresh 必需的
• 三 状态 输出
• 中心 电源/地面 管脚 配置
• 标准 管脚 配置 :
k6r1004c1c-j : 32-soj-400
k6r1004c1c-k : 32-soj-400(含铅的-自由)
• 运行 在 商业的 和 工业的 温度
范围.
这 k6r1004c1d 是 一个 1,048,576-位 高-速 静态的 随机的
进入 记忆 有组织的 作 262,144 words 用 4 位. 这
k6r1004c1d 使用 4 一般 输入 和 输出 线条 和 有
一个 输出 使能 管脚 这个 运作 faster 比 地址
进入 时间 在 读 循环. 这 设备 是 fabricated 使用 sam-
SUNG
′
s 先进的 cmos 处理 和 设计 为 高-
速 电路 技术. 它 是 特别 好 suited 为 使用 在
高-密度 高-速 系统 产品. 这
k6r1004c1d 是 packaged 在 一个 400 mil 32-管脚 塑料 soj.
管脚 函数
管脚 名字 管脚 函数
一个
0
- 一个
17
地址 输入
我们 写 使能
CS
碎片 选择
OE
输出 使能
i/o
1
~ i/o
4
数据 输入/输出
V
CC
电源(+5.0v)
V
SS
地面
n.c 非 连接
管脚 配置
(顶 视图)
clk gen.
i/o
1
~ i/o
4
CS
我们
OE
函数的 块 图解
行 选择
数据
内容.
column 选择
CLK
gen.
前-承担 电路
记忆 排列
512 rows
512x4 columns
i/o 电路 &放大;
SOJ
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
一个
17
一个
16
一个
15
一个
14
一个
13
OE
i/o
4
Vss
Vcc
i/o
3
一个
12
一个
11
一个
10
一个
9
一个
8
n.c
n.c
一个
0
一个
1
一个
2
一个
3
CS
i/o
1
Vcc
Vss
i/o
2
我们
一个
4
一个
5
一个
6
一个
7
n.c
一个
10
一个
11
一个
12
一个
13
一个
14
一个
15
一个
0
一个
1
一个
2
一个
3
一个
4
一个
5
一个
6
一个
7
一个
9
一个
16
一个
17
一个
8
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