首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:679459
 
资料名称:K6R1016V1D-TI10
 
文件大小: 192.18K
   
说明
 
介绍:
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
 
 


: 点此下载
  浏览型号K6R1016V1D-TI10的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号K6R1016V1D-TI10的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号K6R1016V1D-TI10的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号K6R1016V1D-TI10的Datasheet PDF文件第4页
4

5
浏览型号K6R1016V1D-TI10的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号K6R1016V1D-TI10的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号K6R1016V1D-TI10的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号K6R1016V1D-TI10的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
初步的
rev. 3.0
- 5 -
july 2004
初步的
K6R1004C1D
cmos sram
测试 情况
参数 Value
输入 脉冲波 水平 0v 至 3v
输入 上升 和 下降 时间 3ns
输入 和 输出 定时 涉及 水平 1.5v
输出 负载 看 在下
交流 特性
(t
一个
=0 至 70
°
c, v
CC
=5.0v
±
10%, 除非 否则 指出.)
输出 负载(b)
D
输出
5pF*
480
255
为 t
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
&放大; t
OHZ
+5.0v
* 包含 scope 和 jig 电容
输出 负载(一个)
D
输出
R
L
= 50
Z
O
= 50
V
L
= 1.5v
30pF*
* 电容的 加载 组成 的 所有 组件 的 这
测试 环境.
读 cycle*
* 这 在之上 参数 是 也 有保证的 在 工业的 温度 范围.
参数 标识
k6r1004c1d-10
单位
最小值 最大值
读 循环 时间 t
RC
10 - ns
地址 进入 时间 t
AA
-10ns
碎片 选择 至 输出 t
CO
-10ns
输出 使能 至 有效的 输出 t
OE
-5ns
碎片 使能 至 低-z 输出 t
LZ
3-ns
输出 使能 至 低-z 输出 t
OLZ
0-ns
碎片 使不能运转 至 高-z 输出 t
HZ
05
ns
输出 使不能运转 至 高-z 输出
t
OHZ
05
ns
输出 支撑 从 地址 改变 t
OH
3-
ns
碎片 选择 至 电源 向上 时间 t
PU
0-ns
碎片 选择 至 电源 downtime t
PD
-10ns
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com