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资料编号:679459
 
资料名称:K6R1016V1D-TI10
 
文件大小: 192.18K
   
说明
 
介绍:
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
 
 


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初步的
rev. 3.0
- 6 -
july 2004
初步的
K6R1004C1D
cmos sram
地址
数据 输出
previous 有效的 数据
有效的 数据
定时 图解
定时 波形 的 读 循环(1)
(地址 控制
,
CS=OE=V
IL
, 我们=V
IH
)
t
AA
t
RC
t
OH
定时 波形 的 读 循环(2)
(我们=V
IH
)
写 cycle*
* 这 在之上 参数 是 也 有保证的 在 工业的 温度 范围.
参数 标识
k6r1004c1d-10
单位
最小值 最大值
写 循环 时间 t
WC
10 - ns
碎片 选择 至 终止 的 写 t
CW
7-ns
地址 设置-向上 时间 t
0-
ns
地址 有效的 至 终止 的 写 t
AW
7-
ns
写 脉冲波 宽度(oe
高) t
WP
7-
ns
写 脉冲波 宽度(oe
低) t
WP1
10 - ns
写 恢复 时间 t
WR
0-
ns
写 至 输出 高-z
t
WHZ
05
ns
数据 至 写 时间 overlap t
DW
5-
ns
数据 支撑 从 写 时间 t
DH
0-
ns
终止 的 写 至 输出 低-z t
OW
3-ns
有效的 数据
高-z
t
RC
CS
地址
OE
数据 输出
t
hz(3,4,5)
t
AA
t
CO
t
OE
t
OLZ
t
lz(4,5)
t
OHZ
t
PU
t
PD
50%
50%
V
CC
电流
I
CC
I
SB
t
DH
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