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资料编号:679459
 
资料名称:K6R1016V1D-TI10
 
文件大小: 192.18K
   
说明
 
介绍:
64Kx16 Bit High-Speed CMOS Static RAM(3.3V Operating) Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.
 
 


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初步的
rev. 3.0
- 7 -
july 2004
初步的
K6R1004C1D
cmos sram
注释
(读 循环)
1. 我们
是 高 为 读 循环.
2. 所有 读 循环 定时 是 关联 从 这 last 有效的 地址 至 这 第一 转变 地址.
3. t
HZ
和 t
OHZ
是 定义 作 这 时间 在 这个 这 输出 达到 这 打开 电路 情况 和 是 不 关联 至 v
OH
或者
V
OL
水平.
4. 在 任何 给 温度 和 电压 情况, t
HZ
(最大值.) 是 较少 比 t
LZ
(最小值.) 两个都 为 一个 给 设备 和 从 设备 至
设备.
5. 转变 是 量过的
±
200mv 从 稳步的 状态 电压 和 加载(b). 这个 参数 是 抽样 和 不 100% 测试.
6. 设备 是 continuously 选择 和 cs
=V
il.
7. 为 一般 i/o 产品, minimization 或者 除去 的 总线 contention 情况 是 需要 在 读 和 写 cycle.
定时 波形 的 写 循环(1)
(oe= 时钟)
地址
CS
t
wp(2)
t
DW
t
DH
ValidD一个ta
我们
数据 在
数据 输出
t
WC
t
wr(5)
t
AW
t
cw(3)
高-z(8)
高-z
OE
t
ohz(6)
t
作(4)
定时 波形 的 写 循环(2)
(oe=低 fixed)
地址
CS
t
wp1(2)
t
DW
t
DH
t
OW
t
whz(6)
有效的 数据
我们
数据 在
数据 输出
t
WC
t
作(4)
t
wr(5)
t
AW
t
cw(3)
(10)
(9)
高-z(8)
高-z
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