初步的
rev. 3.0
- 4 -
july 2004
初步的
K6R1004C1D
cmos sram
推荐 直流 运行 情况
(t
一个
=0 至 70
°
c)
* v
IL
(最小值) = -2.0v 一个.c (脉冲波 宽度
≤
8ns) 为 i
≤
20ma.
** v
IH
(最大值) = v
CC
+ 2.0v 一个.c (脉冲波 宽度
≤
8ns) 为 i
≤
20ma.
参数
标识
最小值
Typ 最大值 单位
供应 电压 V
CC
4.5 5.0 5.5 V
地面 V
SS
000V
输入 高 电压 V
IH
2.2 - V
CC
+0.5** V
输入 低 电压 V
IL
-0.5* - 0.8 V
CAPACITANCE*
(t
一个
=25
°
c, f=1.0mhz)
* 电容 是 抽样 和 不 100% 测试.
Item 标识 测试 情况 典型值 最大值 单位
输入/输出 电容 C
i/o
V
i/o
=0V - 8 pF
输入 电容 C
在
V
在
=0V
-6pf
绝对 最大 ratings*
*
压力 更好 比 那些 列表 下面 "绝对 最大 比率" 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这个 是 一个 压力比率 仅有的 和
函数的 运作 的 这 设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运行 sections 的 这个 specification 是 不 暗指.
暴露 至 绝对 最大 比率 情况 为 扩展 时期 将 影响 可靠性.
参数 标识 比率 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 v
SS
V
在
,
V
输出
-0.5 至 vcc+0.5v V
电压 在 v
CC
供应 相关的 至 v
SS
V
CC
-0.5 至 7.0 V
电源 消耗 P
d
1W
存储 温度 T
STG
-65 至 150
°
C
运行 温度 商业的 T
一个
0 至 70
°
C
工业的 T
一个
-40 至 85
°
C
直流 和 运行 characteristics*
(t
一个
=0 至 70
°
c, vcc=5.0v
±
10%, 除非 否则 指定)
* 这 在之上 参数 是 也 有保证的 在 工业的 温度 范围.
参数 标识 测试 情况
最小值 最大值
单位
输入 泄漏 电流 I
LI
V
在
=V
SS
至
V
CC
-2 2
µ
一个
输出 泄漏 电流 I
LO
CS=V
IH
或者 oe=V
IH
或者 我们=V
IL
V
输出
=V
SS
至
V
CC
-2 2
µ
一个
运行 电流 I
CC
最小值 循环, 100% 职责 com. 10ns - 65 毫安
ind. 10ns - 75
备用物品 电流 I
SB
最小值 循环, cs=V
IH
-20ma
I
SB1
f=0mhz, cs
≥
V
CC
-0.2v,
V
在
≥
V
CC
-0.2v 或者 v
在
≤
0.2v
-5
输出 低 电压 水平的 V
OL
I
OL
=8mA - 0.4 V
输出 高 电压 水平的 V
OH
I
OH
=-4ma 2.4 - V
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