2n7000/2n7002, vq1000j/p, bs170
vishay siliconix
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11-2
文档 号码: 70226
s-04279
—
rev. f, 16-jul-01
单独的 总的 四方形
参数 标识
2N7000
2N7002
VQ1000J VQ1000P
vq1000j/p
BS170 单位
流-源 电压 V
DS
60 60 60 60 60
门-源 电压
—
非-repetitive V
GSM
40
40
30
25
V
门-源 电压
—
持续的 V
GS
20
20
20
20
20
持续的 流 电流
T
一个
= 25
C
0.2 0.115 0.225 0.225 0.5
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
T
一个
= 100
C
I
D
0.13 0.073 0.14 0.14 0.175
一个
搏动 流 电流
一个
I
DM
0.5 0.8 1 1
T
一个
= 25
C
0.4 0.2 1.3 1.3 2 0.83
电源 消耗
T
一个
= 100
C
P
D
0.16 0.08 0.52 0.52 0.8
W
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 R
thJA
312.5 625 96 96 62.5 156
c/w
运行 接合面 和
存储 温度 范围
T
J
, t
stg
–
55 至 150
C
注释
一个. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
b. t
p
50
s.
限制
2N7000 2N7002
参数 标识 测试 情况 Typ
一个
最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 10
一个
70 60 60
V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安 2.1 0.8 3
V
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 0.25 毫安 2.0 1 2.5
V
DS
= 0 v, v
GS
=
15 v
10
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
20 v
100
nA
V
DS
= 48 v, v
GS
= 0 v 1
T
C
= 125
C
1000
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 1
一个
T
C
= 125
C
500
V
DS
= 10 v, v
GS
= 4.5 v 0.35 0.075
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 7.5 v, v
GS
= 10 v 1 0.5
一个
V
GS
= 4.5 v, i
D
= 0.075 一个 4.5 5.3
V
GS
= 5 v, i
D
= 0.05 一个 3.2 7.5
流-源 在-阻抗
b
r
ds(在)
T
C
= 125
C
5.8 13.5
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.5 一个 2.4 5 7.5
T
J
= 125
C
4.4 9 13.5
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 10 v, i
D
= 0.2 一个 100 80
一般 源 输出 conductance
b
g
os
V
DS
= 5 v, i
D
= 0.05 一个 0.5
mS
动态
输入 电容 C
iss
22 60 50
输出 电容 C
oss
V
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v
f = 1 mhz
11 25 25
pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1 mhz
2 5 5