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资料编号:696118
 
资料名称:VQ1000J
 
文件大小: 51.23K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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2n7000/2n7002, vq1000j/p, bs170
vishay siliconix
文档 号码: 70226
s-04279
rev. f, 16-jul-01
www.vishay.com
11-3



限制
2N7000 2N7002
参数 标识 测试 情况 Typ
一个
最小值 最大值 最小值 最大值 单位
切换
d
转变-在 时间 t
V
DD
= 15 v, r
L
= 25
7 10
转变-止 时间 t
V
DD
= 15 v, r
L
= 25
I
D
0.5 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 25
7 10
转变-在 时间 t
V
DD
= 30 v, r
L
= 150
7 20
ns
转变-止 时间 t
V
DD
= 30 v, r
L
= 150
I
D
0.2 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 25
11 20



限制
vq1000j/p BS170
参数 标识 测试 情况 Typ
一个
最小值 最大值 最小值 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= 100
一个
70 60 60
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= 1 毫安 2.1 0.8 2.5 0.8 3
V
V
DS
= 0 v, v
GS
=
10 v
100
门-身体 泄漏 I
GSS
T
J
= 125
C
500
nA
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
15 v
10
V
DS
= 25 v, v
GS
= 0 v 0.5
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= 48 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 125
C
500
一个
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 10
在-状态 流 电流
b
I
d(在)
V
DS
= 10 v, v
GS
= 10 v 1 0.5 一个
V
GS
= 5 v, i
D
= 0.2 一个 4 7.5
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.2 一个 2.3 5
流-源 在-阻抗
b
r
ds(在)
V
GS
= 10 v, i
D
= 0.3 一个 2.3 5.5
T
J
= 125
C
4.2 7.6
V
DS
= 10 v, i
D
= 0.2 一个 100
向前 跨导
b
g
fs
V
DS
= 10 v, i
D
= 0.5 一个 100
mS
一般 源 输出 conductance
b
g
os
V
DS
=5 v, i
D
= 0.05 一个 0.5
动态
输入 电容 C
iss
22 60 60
输出 电容 C
oss
V
DS
=25 v, v
GS
= 0 v
f = 1 mhz
11 25
pF
反转 转移 电容 C
rss
f = 1 mhz
2 5
切换
d
转变-在 时间 t
V
DD
= 15 v, r
L
= 23
7 10
转变-止 时间 t
V
DD
= 15 v, r
L
= 23
I
D
0.6 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 25
7 10
转变-在 时间 t
V
DD
= 25 v, r
L
= 125
7 10
ns
转变-止 时间 t
V
DD
= 25 v, r
L
= 125
I
D
0.2 一个, v
GEN
= 10 v, r
G
= 25
7 10
注释
一个. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试. VNBF06
b. 脉冲波 测试: pw
80
s 职责 循环
1%.
c. 这个 参数 不 注册 和 电子元件工业联合会.
d. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
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