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资料编号:696118
 
资料名称:VQ1000J
 
文件大小: 51.23K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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2n7000/2n7002, vq1000j/p, bs170
vishay siliconix
文档 号码: 70226
s-04279—rev. f, 16-jul-01
www.vishay.com
11-1
n-频道 60-v (d-s) 场效应晶体管

部分 号码 V
(br)dss
最小值 (v)
r
ds(在)
最大值 (
)
V
gs(th)
(v) I
D
2N7000
5 @ v
GS
= 10 v 0.8 至 3 0.2
2N7002 7.5 @ v
GS
= 10 v 1 至 2.5 0.115
VQ1000J
60
5.5 @ v
GS
= 10 v 0.8 至 2.5 0.225
VQ1000P 5.5 @ v
GS
= 10 v 0.8 至 2.5 0.225
BS170 5 @ v
GS
= 10 v 0.8 至 3 0.5
  
低 在-阻抗: 2.5
低 门槛: 2.1 v
低 输入 电容: 22 pf
快 切换 速: 7 ns
低 输入 和 输出 泄漏
低 补偿 电压
低-电压 运作
容易地 驱动 没有 缓存区
高-速 电路
低 错误 电压
直接 逻辑-水平的 接口: ttl/cmos
驱动器: 接转, solenoids, lamps, hammers,
显示, memories, 晶体管, 等
电池 运作 系统
固体的-状态 接转
至-226aa
(至-92)
顶 视图
S
D
G
1
2
3
G
至-236
(sot-23)
S
D
顶 视图
2
3
1
塑料: VQ1000J
sidebraze: VQ1000P
顶 视图
至-92-18rm
(至-18 含铅的 表格)
D
S
G
1
2
3
2N7000
BS170
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
顶 视图
双-在-线条
D
1
D
4
S
1
S
4
G
1
G
4
NC NC
G
2
G
3
S
2
S
3
D
2
D
3
N
N
N
N
标记 代号: 72
wll
72 = 部分 号码 代号 为 2n7002
w
= week 代号
ll
= lot traceability
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