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资料编号:696118
 
资料名称:VQ1000J
 
文件大小: 51.23K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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2n7000/2n7002, vq1000j/p, bs170
vishay siliconix
www.vishay.com
11-4
文档 号码: 70226
s-04279
rev. f, 16-jul-01



电容在-阻抗 vs. 流 电流
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0123456
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
012345678
输出 特性 转移 特性
V
DS
流-至-源 电压 (v)
V
GS
= 10, 9, 8, 7 v
6.5 v
V
GS
门-至-源 电压 (v)
T
J
=
55
C
25
C
125
C
6 v
5.5 v
5 v
4.5 v
4 v
3.5 v
3 v 2.5 v
2, 1 v
0
4
8
12
16
20
0 400 800 1200 1600 2000 2400
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
55
30
5 20 45 70 95 120 145
0
1
2
3
4
5
6
7
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
0
10
20
30
40
50
60
0 5 10 15 20 25 30 35
门 承担
Q
g
总的 门 承担 (pc)
V
DS
流-至-源 电压 (v)
C
rss
C
oss
C
iss
I
D
= 0.5 一个
I
D
流 电流 (一个)
在-阻抗 vs. 接合面 温度
V
GS
= 10 v, r
DS
@ 0.5 一个
T
J
接合面 温度 (
c)
r
DS
@ 10 v = v
GS
r
DS
@ 5 v = v
GS
V
GS
= 5 v, r
DS
@ 0.05 一个
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
V
DS
= 30 v
I
D
流 电流 (一个)
I
D
流 电流 (一个)
r
ds(在)
在-阻抗 (
Ω )
C
电容 (pf)
V
GS
门-至-源 电压 (v)
r
ds(在)
在-阻抗 (
Ω )
(
normalized)
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