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资料编号:696118
 
资料名称:VQ1000J
 
文件大小: 51.23K
   
说明
 
介绍:
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
 
 


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2n7000/2n7002, vq1000j/p, bs170
vishay siliconix
文档 号码: 70226
s-04279
rev. f, 16-jul-01
www.vishay.com
11-5



0
1
2
3
4
5
6
0 2 4 6 8 101214161820
0.001
0.010
0.100
1.000
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
V
SD
源-至-流 电压 (v) V
GS
门-至-源 电压 (v)
500 毫安
I
D
= 50 毫安
T
J
= 25
C
T
J
= 125
C
门槛 电压
0.75
0.50
0.25
0.00
0.25
0.50
50
25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 250
一个
10 k
职责 循环 = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
1
0.01
0.1
0.01
0.1 1 10010 1 k
normalized 有效的 瞬时 热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (至-226aa, bs170 仅有的)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
t
1
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 156
c/w
3. t
JM
T
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
注释:
P
DM
t
2
I
S
源 电流 (一个)
r
ds(在)
在-阻抗 (
Ω )
V
gs(th)
variance (v)
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