ESMT
M12L64164A
elite 半导体 记忆 技术 公司
发行 日期
:
十一月 2005
修订
:
2.6
3/44
绝对 最大 比率
参数 标识 值 单位
电压 在 任何 管脚 相关的 至 v
SS
V
在
, v
输出
-1.0 ~ 4.6 V
电压 在 v
DD
供应 相关的 至 v
SS
V
DD
, v
DDQ
-1.0 ~ 4.6 V
存储 温度 T
STG
-55 ~ +150
C
°
电源 消耗 P
D
1 w
短的 电路 电流 I
OS
50 毫安
便条:
永久的 设备 损坏 将 出现 如果 absolute 最大 比率 是 超过.
函数的 运作 应当 是 restricted 至 推荐 运行 情况.
暴露 至 高等级的 比 推荐 电压 为 extended 时期 的 时间 可以 影响 设备 可靠性.
直流 运行 情况
推荐 运行 情况 (电压 关联 至 vss = 0v, ta = 0 至 70 C
°
)
参数 标识 最小值 典型值 最大值 单位 便条
供应 电压 V
DD
, v
DDQ
3.0 3.3 3.6 V
输入 逻辑 高 电压 V
IH
2.0 v
DD
+0.3 v 1
输入 逻辑 低 电压 V
IL
-0.3 0 0.8 V 2
输出 逻辑 高 电压 V
OH
2.4 - - v i
OH
= -2ma
输出 逻辑 低 电压 V
OL
- -0.4 v i
OL
= 2ma
输入 泄漏 电流 I
IL
-5 - 5
μ
一个
3
输出 泄漏 电流 I
OL
-5 - 5
μ
一个
4
便条:
1. v
ih(最大值)
= 4.6v 交流 为 脉冲波 宽度
≤
10ns 可接受的.
2. v
il(最小值)
= -1.5v 交流 为 脉冲波 宽度
≤
10ns 可接受的.
3. 任何 输入 0v
≤
V
在
≤
V
DD
+ 0.3v, 所有 其它 管脚 是 不 下面 测试 = 0v.
4. d
输出
是 无能 , 0v
≤
V
输出
≤
V
DD
.
电容
(vdd = 3.3v, ta = 25 C
°
, f = 1mhz)
参数 标识 最小值 最大值 单位
输入 电容 (a0 ~ a11, a13 ~ a12) C
IN1
2 4 pF
输入 电容
(clk, cke,
CS , RAS , CAS ,
我们
&放大;
l(u)dqm)
C
IN2
2 4 pF
数据 输入/输出 电容 (dq0 ~ dq15) C
输出
2 5 pF
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