首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:434120
 
资料名称:K4S161622D-TC/L10
 
文件大小: 1127.62K
   
说明
 
介绍:
512K x 16Bit x 2 Banks Synchronous DRAM
 
 


: 点此下载
 
1
浏览型号K4S161622D-TC/L10的Datasheet PDF文件第2页
2
浏览型号K4S161622D-TC/L10的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号K4S161622D-TC/L10的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号K4S161622D-TC/L10的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号K4S161622D-TC/L10的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号K4S161622D-TC/L10的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号K4S161622D-TC/L10的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号K4S161622D-TC/L10的Datasheet PDF文件第9页
9
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
K4S161622D cmos sdram
这 k4s161622d 是 16,777,216 位 同步的 高 数据
比率 动态 内存 有组织的 作 2 x 524,288 words 用 16 位,
fabricated 和 samsung
s 高 效能 cmos technol-
ogy. 同步的 设计 准许 准确的 循环 控制 和 这
使用 的 系统 时钟 i/o transactions 是 可能 在 每 时钟
长度 和 可编程序的 latencies 准许 这 一样 设备 至 是
有用的 为 一个 多样性 的 高 带宽, 高 效能 mem-
ory 系统 产品.
3.3v 电源 供应
lvttl 兼容 和 多路复用 地址
双 banks 运作
mrs 循环 和 地址 关键 programs
-. cas latency ( 2 &放大; 3)
-. burst 长度 (1, 2, 4, 8 & 全部 page)
-. burst 类型 (sequential &放大; interleave)
所有 输入 是 抽样 在 这 积极的 going 边缘 的 这 系统
时钟
burst 读 单独的-位 写 运作
dqm 为 masking
自动 &放大; 自 refresh
15.6us refresh 职责 循环 (2k/32ms)
一般 描述特性
函数的 块 图解
512k x 16bit x 2 banks 同步的 dram
订货 信息
部分 非. 最大值 freq. 接口 包装
k4s161622d-tc/l55 183MHz
LVTTL
50
tsop(ii)
k4s161622d-tc/l60 166MHz
k4s161622d-tc/l70 143MHz
k4s161622d-tc/l80 125MHz
k4s161622d-tc/l10 100MHz
samsung electronics reserves 这 正确的 至
改变 产品 或者 规格 没有
注意.
*
bank 选择
数据 输入 寄存器
512k x 16
512k x 16
sense 放大
输出 bufferi/o 控制
column 解码器
latency &放大; burst 长度
程序编制 寄存器
地址 寄存器
行 缓存区
refresh 计数器
行 解码器 col. 缓存区
LRAS
LCBR
LCKE
LRAS LCBR LWE LDQM
CLK CKE CS RAS CAS 我们 l(u)dqm
LWE
LDQM
DQi
CLK
增加
LCAS LWCBR
定时 寄存器
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com