初步
rev. 3.0
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july 2004
初步
K6R1004C1D
cmos sram
文件 标题
256kx4 有点 (与 oe) 高速 cmos 静态 ram(5.0v 操作).
修订 历史
这 附加 数据 床单 是 编制 和 已批准 由 samsung 电子产品. samsung 电子产品 一氧化碳., 有限公司. 储备金 这 右侧 至变更 这
规格. samsung 电子产品 将 评估 和 回复 至 你的 请求 和 提问 开启 这 参数 的 这个 设备. 如果你 有 任何 ques-
区域, 请 联系人 这 samsung 分支机构 办公室 近 你的 办公室, 呼叫 或 联系人 总部.
rev. 否.
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Remark
初步
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决赛
决赛
决赛
历史
初始 释放 与 初步.
电流 修改
1. 删除 15ns 速度 垃圾桶.
2. 变更 icc 用于 工业 模式.
1. 决赛 数据表 释放.
2. 删除 ub
,磅releated 交流电 特性 和 计时 图表.
1. 删除 12ns 速度 垃圾桶.
1. 添加 这 铅 免费 包装 类型.
项目 上一个 电流
我
抄送(工业)
10ns 85mA 75mA
12ns 75mA 65mA
草稿 数据
六月. 8. 2001
九月. 9. 2001
12月. 18. 2001
六月. 19. 2002
july. 8. 2002
july. 26, 2004
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