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资料编号:169693
 
资料名称:BF998WR
 
文件大小: 94.6K
   
说明
 
介绍:
N-channel dual-gate MOS-FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
1997 Sep 05 2
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF998WR
特性
高 向前 转移 admittance
短的 频道 晶体管 和 高 向前 转移
admittance 至 输入 电容 比率
低 噪音 增益 控制 放大器 向上 至 1 ghz.
产品
vhf 和 uhf 产品 和 12 v 供应 电压,
此类 作 television tuners 和 专业的
communications 设备.
描述
depletion 类型 地方-效应 晶体管 在 一个 塑料
microminiature sot343r 包装 和 源 和
基质 interconnected. 这 晶体管 是 保护
相反 过度的 输入 电压 surges 用 整体的
后面的-至-后面的 二极管 在 门 和 源.
提醒
这 设备 是 有提供的 在 一个 antistatic 包装. 这
门-源 输入 必须 是 保护 相反 静态的
释放 在 运输 或者 处理.
固定
管脚 标识 描述
1 s, b
2 d
3g
2
2
4g
1
1
图.1 simplified 外形 (sot343r) 和 标识.
标记 代号:
mb.
MAM198
顶 视图
21
34
s,b
d
g
1
g
2
快 涉及 数据
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压
−−
12 V
I
D
流 电流
−−
30 毫安
P
tot
总的 电源 消耗
−−
300 mW
T
j
运行 接合面 温度
−−
150
°
C
y
fs
向前 转移 admittance
24
mS
C
ig1-s
输入 电容 在 门 1
2.1
pF
C
rs
反转 转移 电容 f=1MHz
25
fF
F 噪音 figure f = 800 mhz
1
dB
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