1997 Sep 05 3
飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 双-门 mos-场效应晶体管 BF998WR
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134).
便条
1. 设备 挂载 在 一个 打印-电路 板.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压
−
12 V
I
D
流 电流
−
30 毫安
I
G1
门 1 电流
−±
10 毫安
I
G2
门 2 电流
−±
10 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 向上 至 t
amb
=45
°
c; 看 图.2; 便条 1
−
300 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
运行 接合面 温度
−
+150
°
C
图.2 电源 减额 曲线.
handbook, halfpage
0 50 100 200
0
MLD154
150
400
200
300
100
P
tot
(mw)
t ( c)
amb
o