mw6s010nr1 mw6s010gnr1 mw6s010mr1 mw6s010gmr1
3
rf 设备 数据
freescale 半导体
图示 1. mw6s010nr1(gnr1/mr1/gmr1) 测试 电路 图式 — 900 mhz
C9
C2
+
RF
输出
C5
V
偏差
C3
+
V
供应
RF
输入
Z1
C1
Z2 Z3 Z4
C8
R1
DUT
C4
B1
C6 C7
C10
Z5
L1
C14
Z6
C17
C20
Z7
C11
C12
C13
C15
C16
+
C18
+
C19
+
Z5 0.313
″
x 0.902
″
Microstrip
Z6 0.073
″
x 1.080
″
Microstrip
Z7 0.073
″
x 0.314
″
Microstrip
PCB rogers ultralam 2000, 0.031
″
,
ε
r
= 2.55
Z1 0.073
″
x 0.223
″
Microstrip
Z2 0.112
″
x 0.070
″
Microstrip
Z3 0.213
″
x 0.500
″
Microstrip
Z4 0.313
″
x 1.503
″
Microstrip
表格 6. mw6s010nr1(gnr1/mr1/gmr1) 测试 电路 组件 designations 和 值 — 900 mhz
部分 描述 部分 号码 生产者
B1 ferrite bead 2743019447 Fair-Rite
c1, c6, c11, c20 47 pf 碎片 电容 100B470JP500X 在C
c2, c18, c19 22
µ
f, 35 v tantalum 电容 T491D226K035AS Kemet
c3, c16 220
µ
f, 63 v electrolytic 电容, 放射状的 13668221 Phillips
c4, c15 0.1
µ
f 碎片 电容 CDR33BX104AKWS Kemet
c5, c8, c17 0.8-8.0 pf 能变的 电容, gigatrim 272915L Johanson
c7, c12 24 pf 碎片 电容 100B240JP500X 在C
c9, c10, c13 6.8 pf 碎片 电容 100B6R8JP500X 在C
C14 7.5 pf 碎片 电容 100B7R5JP500X 在C
L1 12.5 nh inductor A04T-5 Coilcraft
R1 1 k
Ω
碎片 电阻 CRCW12061001F100 Vishay-Dale
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