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资料编号:7661
 
资料名称:HGTG20N60A4D
 
文件大小: 351.72K
   
说明
 
介绍:
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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2
绝对 最大 比率
T
C
= 25
o
c, 除非 否则 specified
HGTG20N60A4D 单位
集电级 至 发射级 电压 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .bv
CES
600 V
集电级 电流 持续的
在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C25
70 一个
在 t
C
= 110
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
C110
40 一个
集电级 电流 搏动 (便条 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I
CM
280 一个
门 至 发射级 电压 持续的. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GES
±
20 V
门 至 发射级 电压 搏动. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V
GEM
±
30 V
切换 safe 运行 范围 在 t
J
= 150
o
c (图示 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SSOA 100a 在 600v
电源 消耗 总的 在 t
C
= 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P
D
290 W
电源 消耗 减额 t
C
> 25
o
C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.32 w/
o
C
运行 和 存储 接合面 温度 范围 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
J
, t
STG
-55 至 150
o
C
最大 含铅的 温度 为 焊接. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T
L
260
o
C
提醒: 压力 在之上 那些 列表 “Absolute 最大 Ratings” 导致 永久的 损坏 设备. 这个 一个 压力 仅有的 比率 运作
设备 在 这些 或者 任何 其它 情况 在之上 那些 表明 在 这 运算的 sections 的 这个 规格 是 不 暗指.
便条:
1. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
电的 specifications
T
J
= 25
o
c, 除非 否则 specified
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级 至 发射级 损坏 电压 BV
CES
I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0v 600 - - V
集电级 至 发射级 泄漏 电流 I
CES
V
CE
= 600v T
J
= 25
o
C - - 250
µ
一个
T
J
= 125
o
C - - 3.0 毫安
集电级 至 发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
= 20a,
V
GE
= 15v
T
J
= 25
o
C - 1.8 2.7 V
T
J
= 125
o
C - 1.6 2.0 V
门 至 发射级 门槛 电压 V
ge(th)
I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= 600v 4.5 5.5 7.0 V
门 至 发射级 泄漏 电流 I
GES
V
GE
=
±
20V - -
±
250 nA
切换 soa SSOA T
J
= 150
o
c, r
G
= 3
, v
GE
= 15v,
l = 100
µ
h, v
CE
= 600v
100 - - 一个
门 至 发射级 plateau 电压 V
GEP
I
C
= 20a, v
CE
= 300v - 8.6 - V
在-状态 门 承担 Q
g(在)
I
C
= 20a,
V
CE
= 300v
V
GE
= 15v - 142 162 nC
V
GE
= 20v - 182 210 nC
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 25
o
c,
I
CE
= 20a,
V
CE
= 390v,
V
GE
= 15v,
R
G
= 3
Ω,
l = 500
µ
h,
测试 电路 图示 24
-15 - ns
电流 上升 时间 t
rI
-12 - ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
-73 - ns
电流 下降 时间 t
fI
-32 - ns
转变-在 活力 (便条 3) E
ON1
- 105 -
µ
J
转变-在 活力 (便条 3) E
ON2
- 280 350
µ
J
转变-止 活力 (便条 2) E
- 150 200
µ
J
电流 转变-在 延迟 时间 t
d(在)i
igbt 和 二极管 在 t
J
= 125
o
c,
I
CE
= 20a,
V
CE
= 390v, v
GE
= 15v,
R
G
= 3
Ω,
l = 500
µ
h,
测试 电路 图示 24
-1521ns
电流 上升 时间 t
rI
-1318ns
电流 转变-止 延迟 时间 t
d(止)i
- 105 135 ns
电流 下降 时间 t
fI
-5573ns
转变-在 活力 (便条 3) E
ON1
- 115 -
µ
J
转变-在 活力 (便条 3) E
ON2
- 510 600
µ
J
转变-止 活力 (便条 2) E
- 330 500
µ
J
二极管 向前 电压 V
EC
I
EC
= 20a - 2.3 - V
HGTG20N60A4D
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