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资料编号:7661
 
资料名称:HGTG20N60A4D
 
文件大小: 351.72K
   
说明
 
介绍:
600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
 
 


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4
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
图示 7. 转变-在 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 8. 转变-止 活力 丧失 vs 集电级
发射级 电流
图示 9. 转变-在 延迟 时间 vs 集电级
发射级 电流
图示 10. 转变-在 上升 时间 vs 集电级
发射级 电流
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
(持续)
0 0.8 1.2
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
20
40
1.6 2.0 3.2
80
60
T
J
= 125
o
C
T
J
= 150
o
C
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 12v
100
T
J
= 25
o
C
0.4 2.4 2.8
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
职责 循环 < 0.5%, v
GE
= 15v
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
0
20
40
80
60
100
0 0.8 1.2 1.6 2.00.4 2.4 2.8
E
ON2
, 转变-在 活力 丧失 (
µ
j)
1000
600
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
800
400
1200
0
1510 20 25 30 35 40
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
R
G
= 3
,l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v, v
GE
= 15v
200
5
1400
600
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
E
, 转变-止 活力 丧失 (
µ
j)
0
100
400
200
500
700
800
T
J
= 25
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
T
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v 或者 15v
300
R
G
= 3
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
1510 20 25 30 35 405
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
d(在)i
, 转变-在 延迟 时间 (ns)
8
14
16
18
20
22
1510 20 25 30 35 405
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 15v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v
R
G
= 3
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
12
10
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
t
rI
, 上升 时间 (ns)
4
8
20
16
12
24
36
32
28
R
G
= 3
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
T
J
= 25
o
c, t
J
= 125
o
c, v
GE
= 12v
T
J
= 25
o
c 或者 t
J
= 125
o
c, v
GE
= 15v
1510 20 25 30 35 405
HGTG20N60A4D
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