3
二极管 反转 恢复 时间 t
rr
I
EC
= 20a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s - 35 - ns
I
EC
= 1a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s - 26 - ns
热的 阻抗 接合面 至 情况 R
θ
JC
IGBT - - 0.43
o
c/w
二极管 - - 1.9
o
c/w
便条:
2. 转变-止 活力 丧失 (e
止
) 是 定义 作 这 integral 的 这 instantaneous 电源 丧失 开始 在 这 trailing 边缘 的 这 输入 脉冲波 和 ending
在 这 要点 在哪里 这 集电级 电流 相等 零 (i
CE
= 0a). 所有 设备 是 测试 每 电子元件工业联合会 标准 非. 24-1 方法 为 度量
的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 生产 这 真实 总的 转变-止 活力 丧失.
3. 值 为 二 转变-在 丧失 情况 是 显示 为 这 convenience 的 这 电路 设计者. E
ON1
是 这 转变-在 丧失 的 这 IGBT 仅有的. E
ON2
是 这 转变-在 丧失 当 一个 典型 二极管 是 使用 在 这 测试 电路 和 这 二极管 是 在 这 一样 t
J
作 这 igbt. 这 二极管 类型 是 指定 在
图示 20.
电的 specifications
T
J
= 25
o
c, 除非 否则 specified
(持续)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
典型 效能 曲线
除非 否则 specified
图示 1. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 2. 最小 切换 safe 运行 范围
图示 3. 运行 频率 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
50
20
0
80
40
60
25 75 100 125 150
100
V
GE
= 15v
包装 限制
消逝 能力
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
700
60
0
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
20
300 400200100 500 600
0
80
100
40
120
T
J
= 150
o
c, r
G
= 3
Ω
, v
GE
= 15v, l = 100
µ
H
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
5
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
40
300
5010 20
500
T
J
= 125
o
c, r
G
= 3
Ω
, l = 500
µ
h, v
CE
= 390v
100
4030
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
ØJC
= 0.43
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
ON2
+ e
止
)
T
C
V
GE
15V
75
o
C
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
10 11 12 15
0
2
10
100
250
350
45014
13 14
4
6
8
12
150
200
300
400
V
CE
= 390v, r
G
= 3
Ω
, t
J
= 125
o
C
t
SC
I
SC
HGTG20N60A4D
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